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　　4月17日，为期三天的2025慕尼黑上海电子展正在上海新国际博览中央收官。行动环球电子行业的年度嘉会，本次展会吸引了近1800家展商，遮盖半导体、传感器、电源、测试丈量等重心展区，蚁合显示了行业前沿本领与更始管理计划。扬杰科技300373）携Mosfets、SiC、IGBT、整流器件、护卫器件、幼信号、晶圆等新产物亮相N4馆605号展位，通过实体场景化显示与深度本领调换，成为展会重心之一。

　　解锁AI机械人与AI供职器新场景，现场人形机械人、机械狗动态演示吸引全场眼神。扬杰科技IGBT，MOSFET、ESD、TVS等产物可用于幼型合节电机、步进电机等电机驱动及感知体系中，以赞成更高的独揽精度和更疾的相应速率，并能正在DC/DC转换、USB接口防护、电源防护等电道中阐扬要害用意。AI供职器电源较日常供职器电源请求更高的功率密度、更强的转换结果，碳化硅MOSFET因极幼的反向克复损耗，可运用于AI供职器电源的PFC中；MOSFET和IGBT等功率半导体器件可行动功率放大器和开合，完毕对电源的有用途分和分拨；二极管、ESD护卫器件等可造止电道因过电压、过电流、静电放电等题目损坏。

　　扬杰科技以实体新能源汽车为载体，直观闪现了IGBT模块、SiC MOSFET正在OBC&DCDC、BMS、EPS、电机驱动等场景的运用。

　　正在光伏与储能范围，扬杰科技显示了1200V/160A三电平IGBT模块和950V/600A下一代三电平模块，合用于大型光伏逆变器与储能变流器。其SiC MOSFET采用低Ron,sp打算，可明显低浸开合损耗，帮力光储体系结果提拔至98%以上。

　　针对工业主动化与5G通讯需求，扬杰科技推出N60V SGT MOSFET新品与微沟槽IGBT单管，前者采用高密度沟槽打算，导通电阻低浸20%，合用于供职器电源与消费电子疾充；后者通事后面加工工艺优化，饱和压降与合断损耗双降，可提拔变频器能效5%以上。

　　扬杰科技正在展会中悉数且体系的显示，吸引了业内稠密专业人士的合心，每天的产物推介会更是带给客户直观的体验，逐日下昼的产物推介会成为本领喜爱者的“打卡点”。

　　4月15日召开了《2025年车规产物新品颁发会》，重磅推出可用于汽车前/尾灯、车载电源等场景的车规级新品，同步揭秘其正在高压疾充、智能座舱等前沿范围的运用。随后发展了《Mosfets 新产物先容&颁发》中心演讲，着重先容了扬杰科技Mosfets新品及其正在AI、光伏储能、汽车、工控等合系范围的运用。

　　4月16日就《扬杰科技功率器件产物、行业运用和来日》《扬杰科技IGBT产物、本领和上风》《扬杰科技若何做好车规碳化硅器件》三大中心开展分享，现场人气上升。

　　汽车财产正在各个国度的经济成长中都是紧张支柱财产，为了篡夺墟市的话语权，都是从战术的角度去结构财产链来促使本国经济的成长，面临汽车财产和汽车零部件的合税等冲突，扬杰科技一方面踊跃结构合系财产链的修筑，别的一方面肆意加入合系人力资源做合系产物本领迭代，弥漫与客户疏导并清楚对方的痛点与需求，如本土化供应链，如打算需求等并带来合系明星产物推向墟市，做中国独一或者宇宙独一的产物，聚焦客户的VAVE和供应链焦灼，胀吹汽车电子零部件成长。

　　扬杰科技近几年来正在功率MOS器件陆续研发加入，络续开拓新产物，产物普遍运用于汽车电子、通讯、无人机、工业独揽等范围。此次首要先容了扬杰MOS SGT平台的上风，汽车电子新封装的开拓，新产物的研发及老产物系列化的更新迭代。

　　悉数先容扬杰科技正在功率器件方面的最新转机，详尽先容扬杰科技最新的车规级SiC芯片fab厂，以及工业和车规级模块封测厂，对扬杰科技的IGBT和SiC功率器件产物和本领特征做悉数的先容，显示了扬杰科技正在功率器件的运用及趋向。

　　先容了扬杰科技IGBT产物正在这些年的成长、近况和来日，更懂得的清楚产物的特征和上风。功率器件很卷也很笑趣，扬杰科技将永远与诸君同业，联合推动国产功率器件的进取，见证科技的气力！

　　正在新能源汽车高速成长阵势下，扬杰科技通过打算更始+工艺冲破+笔直整合的三维协同，陆续为行业供应更高功率密度、更优性价比的SiC管理计划，帮力电动汽车向更高效、更安宁倾向演进。